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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0431150 (1999-11-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 10 |
A process for reducing dishing in damascene structures formed in low k organic dielectrics is described. A key feature is the insertion of a liner layer between the low k dielectric layer and the etch stop layer. The only requirement for the liner material is that it should have different etching ch
1. A process for working a layer of a soft material, comprising:providing a substrate and depositing thereon an etch stop layer; on said etch stop layer, depositing a liner layer of a material having different chemical mechanical etching characteristics from said etch stop layer; depositing a layer
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