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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0424367 (2000-04-19) |
우선권정보 | DE-0021655 (1997-05-23) |
국제출원번호 | PCT/EP98/02305 (1998-04-18) |
§371/§102 date | 20000319 (20000319) |
국제공개번호 | WO98/53503 (1998-11-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 5 |
With a self-protect thyristor, having a MOSFET (M1) that is connected in series with the thyristor and a second, self-controlled MOSFET (M2) between the p-base of the thyristor and the external cathode (KA), several unit cells for the thyristor are arranged parallel connected in a semiconductor wafe
1. A MOS gate-controlled thyristor with overcurrent protection, wherein several unit cells of the thyristor are arranged parallel-connected in a semiconductor wafer, comprising:a) respectively one n-emitter, one p-base, one n-base and one p-emitter, arranged between a cathode connection (KA) and an
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