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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0209196 (1998-12-10) |
우선권정보 | KR-0044270 (1995-11-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 20 |
A method form forming a dielectric film on a substrate includes the steps of placing the substrate in a process chamber wherein said substrate is isolated from an external environment, depositing the dielectric film on the substrate in the process chamber, and annealing the dielectric film in said p
1. A method for forming a dielectric film on a microelectronic substrate, said method comprising the steps of:placing said substrate on a susceptor in a process chamber wherein said substrate is isolated from an external environment; depositing said dielectric film on said substrate in said processi
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