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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0600162 (2000-09-18) |
우선권정보 | FR-0001172 (1998-02-02) |
국제출원번호 | PCT/FR99/00197 (1999-02-01) |
§371/§102 date | 20000918 (20000918) |
국제공개번호 | WO99/39378 (1999-08-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 7 |
The invention concerns a method for treating substrates, in particular semiconductors, by implanting atoms so as to produce a substrate of cavities at a controlled depth, characterized in that it comprises steps which consists in: implanting atoms in the substrate at a first depth, to obtain a first
1. A process for treating substrates, especially semiconductor substrates, by atom implantation for the purpose of creating cavities in a substrate at a controlled depth, comprising the steps of:implanting atoms into the substrate at a first depth, in order to obtain a first atom concentration at sa
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