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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0745735 (2000-12-26) |
우선권정보 | JP-0373485 (1999-12-28); JP-0273761 (2000-09-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 7 |
In the initial stage of the operation of turning off a semiconductor device, the impedance of a carrier pull out circuit remains low for rapidly pulling out the stored carriers from the control electrode of the device. When the turn-off transition of the device proceeds and becomes close to its comp
1. A drive circuit for a semiconductor device having a control electrode, first and second main electrodes, comprising:a detector configured to detect a voltage between the first and second main electrodes so as to identify a specific feature representing a timing from which a turn-off transition of
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