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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0537172 (2000-03-29) |
우선권정보 | JP-0087780 (1991-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 120 |
A novel structure of an active electro-optical device is disclosed. The device is provided with complementary thin film insulated gate field effect transistors (TFTs) therein which comprise a P-TFT and an N-TFT. P-TFT and N-TFT are connected to a common signal line by the gate electrodes thereof, wh
1. A method for forming a transmission type electro-optical display device comprising the steps of:forming at least one thin film transistor, said thin film transistor having a semiconductor film to form a channel region; forming an interlayer insulating film comprising an inorganic material on said
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