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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0315987 (1999-05-21) |
우선권정보 | JP-0087780 (1991-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 121 |
A novel structure of an active electro-optical device is disclosed. The device is provided with complementary thin film insulated gate field effect transistors (TFTs) therein which comprise a P-TFT and an N-TFT. P-TFT and N-TFT are connected to a common signal line by the gate electrodes thereof, wh
1. An electric device having at least one active matrix device, said active matrix device comprising:a substrate having an insulating surface; at least one thin film transistor formed over said substrate, said thin film transistor including at least a channel region, source and drain regions with sa
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