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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0145720 (1998-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 38 인용 특허 : 26 |
An integrated circuit, including but not limited to a memory device, receives an externally provided voltage signal and selectively adjusts the timing of internal control signals. An external signal selects between two possible pre-determined delay paths. The delay paths are adjusted using fuse circ
1. An integrated circuit memory device comprising:an input connection for receiving an externally provided voltage signal; read circuitry for reading data stored in the memory device; data output circuitry for providing data read from the memory device to an external connection; internal circuitry f
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