[특허]Method and apparatus for reducing fixed charge in semiconductor device layers

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/58
출원번호	US-0145723 (1998-09-02)
발명자 / 주소	Ravi Iyer Randhir P. S. Thakur Howard E. Rhodes
출원인 / 주소	Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소	Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.A.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 22

초록 ▼

The fixed charge in a borophosphosilicate glass insulating film deposited on a semiconductor device is reduced by reacting an organic precursor such as TEOS with O3. When done at temperatures higher than approximately 480 degrees C., the carbon level in the resulting film appears to be reduced, resu

대표청구항 ▼

1. A device having active areas formed in a substrate and a borophosphosilicate glass thin film formed thereon using organometallic precursors, a portion of the film forming an interface with at least one of the active areas, wherein:carbon migrates to a portion of the film near the interface during reflow such that different portions of the film have different carbon concentrations; the portion of the film near the interface to which carbon migrates has a highest concentration of carbon atoms; the highest concentration of carbon atoms in the film is fewer than 1018 carbon atoms per cubic centimeter; and the film has a fixed charge density less than 5.times.1010 per square centimeter.

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