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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0771890 (2001-01-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 21 |
A magnetically enhanced hollow cathode sputter source for providing a sputtered particle flux containing an increased proportion of ionized target material comprises a four-sided, box-shaped chamber open at the top and defining an interior space. Each of the interiorly facing surfaces of the chamber
1. A hollow cathode sputter source providing a sputtered particle flux having an increased ionization probability, comprising:(a) a box-shaped chamber defining an interior space, said chamber being open at the top and comprising a flat, horizontal bottom wall and a first pair of opposing, flat, vert
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