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Method for improving integrated circuits bonding firmness 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B32B-003/00
  • H01L-023/48
출원번호 US-0221569 (1998-12-29)
발명자 / 주소
  • Jeng-Jie Peng TW
  • Ming-Dou Ker TW
  • Nien-Ming Wang TW
출원인 / 주소
  • Industrial Technology Research Institute TW
대리인 / 주소
    McDermott, Will & Emery
인용정보 피인용 횟수 : 16  인용 특허 : 7

초록

A method for improving the integrated circuits bonding firmness, whose principle is that after the later film is piled on top of the previous film, the upper surface of the later film will be affected by the previous film. Among the metal layers of the multi-level interconnection, the metal layer un

대표청구항

1. A structure for improving the firmness of bond wires, comprising:a composition layer formed on an insulator layer to serve as a part of a multi-level interconnection, said composition layer being composed with at least one conductive layer and at least one dielectric layer thereon, said conductiv

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Hsiao Ming-Shan,TWX, Bonding pad structure and method thereof.
  2. Rouaud Thierry (Paris FRX) Robin Michel (Poissy FRX), Method of adhesively bonding mineral particles to supports.
  3. Nagaoka Tetsuya (Yokohama JPX), Plastic packaged semiconductor device having bonding wires which are prevented from coming into contact with each other.
  4. Harada Shigeru (Hyogo JPX) Endoh Takemi (Hyogo JPX) Ishida Tomohiro (Hyogo JPX), Semiconductor device with bonding pad electrode.
  5. Matsuno Tadashi,JPX, Semiconductor device with improved adhesion between titanium-based metal wiring layer and insulation film.
  6. Matsuno Tadashi,JPX, Semiconductor device with improved adhesion between titanium-based metal wiring layer and insulation film.
  7. Langley Rodney C. (Boise ID), Semiconductor device with improved bond pads.

이 특허를 인용한 특허 (16)

  1. Tsai, Tsung-Han; Jeng, Jung-Chi; Chang, Yueh-Ching; Chien, Volume; Huang, Huang-Ta; Jeng, Chi-Cherng, Bonding pad structure with dense via array.
  2. Tsai, Tsung-Han; Jeng, Jung-Chi; Chang, Yueh-Ching; Chien, Volume; Huang, Huang-Ta; Jeng, Chi-Cherng, Bonding pad structure with dense via array.
  3. Lee,Jin Hyuk; Kim,Gu Sung; Lee,Dong Ho; Jang,Dong Hyeon, Method for manufacturing a wafer level chip scale package.
  4. Goebel, Thomas; Kaltalioglu, Erdem; Kim, Sun-Oo, Method of forming support structures for semiconductor devices.
  5. Chen,Sheng Hsiung, Method of improving copper pad adhesion.
  6. Lee, Jin-Hyuk; Kang, Sa-Yoon; Kwon, Dong-Whee; You, Ji-Yong; Shin, Hye-Soo, Reinforced bond-pad substructure and method for fabricating the same.
  7. Fitzsimmons,John A.; Gambino,Jeffrey P.; Walton,Erick G., Roughened bonding pad and bonding wire surfaces for low pressure wire bonding.
  8. Wang, Hui-Heng, Semiconductor chip pad structure and method for manufacturing the same.
  9. Hirano, Hiroshige; Ota, Yukitoshi; Itoh, Yutaka, Semiconductor device having a pad.
  10. Yao, Ze-Qiang; Yin, Fayou; Shang, Xiaodan, Semiconductor device having conductive bump with improved reliability.
  11. Kwon, Dong Whee; Lee, Jin Hyuk; Song, Yun Heub; Kang, Sa Yoon, Semiconductor devices with bonding pads having intermetal dielectric layer of hybrid configuration and methods of fabricating the same.
  12. Murayama, Kei, Semiconductor package.
  13. Goebel, Thomas; Kaltalioglu, Erdem; Kim, Sun Oo, Support structures for semiconductor devices.
  14. Li, Yuan; Nath, Som; Van Dort, Maarten Jeroen, Via network structures and method therefor.
  15. Li, Yuan; Nath, Som; van Dort, Maarten, Via network structures and method therefor.
  16. Petrarca,Kevin Shawn; Volant,Richard Paul, Wedgebond pads having a nonplanar surface structure.
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