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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0860422 (2001-05-18) |
우선권정보 | TW-0108179 (2001-04-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 10 |
A fabrication method for a memory device with a floating gate is provided. A substrate is provided. A channel doping step is performed on the substrate, wherein the actual threshold voltage of the subsequently formed memory device becomes greater than the preset threshold voltage. A stack gate and s
1. A method for fabricating a memory device with a floating gate, comprising:providing a substrate; performing a channel doping step that comprises at least three implantation steps on the substrate, wherein each implantation step is performed to implant a dosage of dopants with an implantation ener
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