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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0407221 (1999-09-24) |
우선권정보 | JP-0272788 (1998-09-28); JP-0067744 (1999-03-15); JP-0133283 (1999-05-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 53 인용 특허 : 3 |
A nondestructive inspection device (or method) is basically configured such that a laser beam (1300 nm) is irradiated on a surface (or back) of a semiconductor device chip to scan. Due to irradiation of the laser beam, a defect position is heated to cause a thermoelectromotive current, which induces
1. A method for manufacturing a semiconductor device for nondestructive inspection, comprising the steps of:forming a first conductor on a substrate; forming a second conductor on the substrate in proximity to the first conductor; arranging a thermoelectromotive force generator being formed on the s
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