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Method for driving semiconductor memory 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-011/22
  • G11C-011/24
출원번호 US-0879079 (2001-06-13)
우선권정보 JP-0182642 (2000-06-19); JP-0268270 (2000-09-05)
발명자 / 주소
  • Yoshihisa Kato JP
  • Yasuhiro Shimada JP
출원인 / 주소
  • Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. JP
대리인 / 주소
    Nixon Peabody LLP
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 9

초록

In a method for driving a semiconductor memory including a ferroelectric capacitor for storing a multi-valued data in accordance with a displacement of polarization of a ferroelectric film and a detector connected to one of an upper electrode and a lower electrode of the ferroelectric capacitor for

대표청구항

1. A method for driving a semiconductor memory including a ferroelectric capacitor for storing a multi-valued data in accordance with a displacement of polarization of a ferroelectric film thereof and detection means connected to a first electrode corresponding to one of an upper electrode and a low

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Forbes Leonard ; Ahn Kie Y. ; Noble Wendell P. ; Reinberg Alan R., Dynamic random access memory (DRAM) cells with repressed ferroelectric memory methods of reading same, and apparatuses including same.
  2. Honigschmid Heinz,DEX, Integrated memory having cells of the two-transistor/two-capacitor type.
  3. Katoh Yuukoh,JPX, Non-volatile ferroelectric memory device for storing data bits restored upon power-on and intermittently refreshed.
  4. Kawakubo Takashi,JPX ; Abe Kazuhide,JPX ; Takashima Daisaburo,JPX, Non-volatile semiconductor integrated memory device.
  5. Katoh Yuukoh,JPX, Non-volatile semiconductor memory device in which applied voltage to ferroelectric capacitor is adjusted.
  6. Takashima Daisaburo,JPX, Semiconductor memory device.
  7. Kobayashi Sota (Tokyo JPX), Semiconductor non-volatile ferroelectric memory transistor accompanied with capacitor for increasing potential differenc.
  8. Marshall Daniel S. ; Hallmark Jerald Allen ; Anderson David J. ; Lan Ellen, Variable conducting element and method of programming.
  9. Brody Philip S. (Brookmont MD), Write mode circuitry for photovoltaic ferroelectric memory cell.

이 특허를 인용한 특허 (21)

  1. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Addressable and electrically reversible memory switch.
  2. Maruyama, Akira, DATA STORAGE METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH MANY OF THE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS, AND ELECTRONIC APPARATUS .
  3. Nishihara,Toshiyuki; Tsuneda,Yukihisa, Data reading method, data writing method, and semiconductor memory device.
  4. Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Floating gate memory device using composite molecular material.
  5. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
  6. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
  7. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
  8. Krieger, Juri H.; Yudanoy, Nikolai, Memory device.
  9. Krieger, Juri H.; Yudanov, N. F., Memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same.
  10. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active and passive layers.
  11. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active passive layers.
  12. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolay F., Molecular memory cell.
  13. Krieger,Juri H; Yudanov,Nicolay F, Molecular memory cell.
  14. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Molecular memory device.
  15. Gudesen, Hans Gude; Nordal, Per-Erik, Non-volatile memory device utilizing dueterated materials.
  16. Kang,Hee Bok, Nonvolatile ferroelectric memory device.
  17. Kingsborough,Richard P.; Sokolik,Igor, Organic thin film Zener diodes.
  18. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Reversible field-programmable electric interconnects.
  19. Bulovic,Vladimir; Mandell,Aaron; Perlman,Andrew, Reversible field-programmable electric interconnects.
  20. Lee, Jong-Jan; Hsu, Sheng Teng, Two transistor ferroelectric non-volatile memory.
  21. Yoshioka,Hideki; Watanabe,Mutsumi; Yuasa,Mayumi; Nishiura,Masahide, Ultrasonic picture processing method and ultrasonic picture processing apparatus.
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