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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0879079 (2001-06-13) |
우선권정보 | JP-0182642 (2000-06-19); JP-0268270 (2000-09-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 9 |
In a method for driving a semiconductor memory including a ferroelectric capacitor for storing a multi-valued data in accordance with a displacement of polarization of a ferroelectric film and a detector connected to one of an upper electrode and a lower electrode of the ferroelectric capacitor for
1. A method for driving a semiconductor memory including a ferroelectric capacitor for storing a multi-valued data in accordance with a displacement of polarization of a ferroelectric film thereof and detection means connected to a first electrode corresponding to one of an upper electrode and a low
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