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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0710127 (2000-11-09) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 87 인용 특허 : 7 |
A method of producing a strained crystalline semiconductor microelectronic device(s). Microelectronic device(s) are formed within a membrane. The method includes the steps of straining a membrane along at least one axis and bonding the membrane to a base substrate.
1. A method of producing a strained crystalline semiconductor microelectronic device, including the steps of:applying a tensile strain to a membrane along at least one axis, the microelectronic device being formed within the membrane; and bonding the membrane to a base substrate.
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