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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0808661 (2001-03-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 36 |
In a specific embodiment, the present invention provides a novel process for smoothing a surface of a separated film. The present process is for the preparation of thin semiconductor material films. The process includes a step of implanting by ion bombardment of the face of the wafer by means of ion
1. Process for the preparation of thin semiconductor material films, wherein the process comprises subjecting a semiconductor material wafer having a planar face and whose plane, is substantially parallel to a principal crystallographic plane, the process comprising:implanting by ion bombardment of
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