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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0594464 (2000-06-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 121 |
An ion implantation apparatus and method. The apparatus has a vacuum chamber and an ion beam generator to generate an ion beam in the vacuum chamber. The apparatus also has an implant wheel (10), in the vacuum chamber, having a plurality of circumferentially distributed substrate holding positions.
1. Ion implantation apparatus comprising:a vacuum chamber, an ion beam generator to generate an ion beam in the vacuum chamber, an implant wheel, in the vacuum chamber, having a plurality of circumferentially distributed substrate holding positions; and wherein each of the substrate holding position
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