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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0340743 (1999-06-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 9 |
A robust method for etching an organic low-k insulating layer on a semiconductor device, as disclosed herein, includes introducing into a processing chamber a substrate with an organic insulating layer and an overlying mask layer having an aperture. A plasma is then developed within the chamber from
1. A method for anisotropically etching an organic insulating layer through an aperture in a mask layer, comprising:introducing a substrate provided with an organic low-k insulating layer and an overlying mask layer having an aperture into a processing chamber; and creating a plasma within said cham
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