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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | G01J-005/20 |
미국특허분류(USC) | 250/332; 250/3381; 250/3383 |
출원번호 | US-0581808 (2000-06-19) |
국제출원번호 | PCT/JP97/04676 (1997-12-18) |
§371/§102 date | 20000619 (20000619) |
국제공개번호 | WO99/31471 (1999-06-24) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 6 |
Infrared solid-state imaging elements include an infrared absorbing section formed as to correspond to each pixel aligned in a two-dimensional pattern for absorbing incident infrared radiation and converting the same into heat. A temperature detector section is formed as to correspond to each pixel on a semiconductor substrate and are arranged of a plurality of serially connected silicon pn junction diodes that are biased in a forward direction. A hollow section is formed on each region on which the temperature detector section is formed on the semicondu...
1. An infrared solid-state imaging element formed corresponding to each pixel of a two-dimensional imaging array comprising:an infrared absorbing section formed corresponding to each pixel of an two-dimensional imaging array and converting incident infrared radiation into heat; a temperature detector section formed corresponding to each pixel on a semi-conductor substrate having a plurality of pn junction diodes connected in series and biased in forward direction; a hollow section formed under each temperature detector section; a supporting leg having a ...