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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0636693 (2000-08-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 15 |
The present invention pertains to Mg-Al anionic clay having 3R2 stacking. This new polytype of anionic clay has a three-layer repeat, but it has a different interlayer arrangement than the conventional 3R1 hydrotalcite. Said new polytype can be applied in all applications described before for the co
1. Mg-Al anionic clay having interlayer spacing with a hydroxyl group anion contained in the interlayer spacing, said clay having 3R2 stacking.
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