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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0428471 (1999-10-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 176 |
Nickel is selectively held in contact with a particular region of an amorphous silicon film. Crystal growth parallel with a substrate is effected by performing a heat treatment. A thermal oxidation film is formed on the silicon film by performing a heat treatment in an oxidizing atmosphere containin
1. A portable information terminal device having an active matrix EL display device, said display device comprising:a substrate having an insulating surface; a plurality of pixels arranged in a matrix form; and a plurality of thin transistors disposed at said pixels, wherein each of said thin film t
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