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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0730349 (2000-12-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 1 |
The method is used to fabricate pure copper sputter targets. It includes first heating a copper billet to a temperature of at least 500.degree. C. The copper billet has a purity of at least 99.99 percent. Then warm working the copper billet applies at least 40 percent strain. Cold rolling the warm w
1. A method of fabricating copper sputter targets comprising the steps of:heating a copper billet to at least about 500.degree. C., the copper billet having a purity of at least 99.99 percent; warm working the heated copper billet to apply at least about 40 percent strain; cold rolling the warm work
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