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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0444848 (1999-11-22) |
우선권정보 | JP-0163929 (1999-06-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 6 |
A semiconductor device more reduced in size and a manufacturing method thereof are provided. A gate electrode is covered with a silicon nitride film having a selecting ratio greater than an NSG film under a prescribed etching condition. A cobalt suicide film is formed on an upper surface of source/d
1. A semiconductor device, comprising:a silicon substrate having, on an upper surface of source/drain regions, a first refractory metal silicide film formed by a reaction with a refractory metal film deposited on a main surface; a gate electrode, having side surfaces and an upper surface, formed on
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