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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0873667 (2001-06-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 21 |
A semiconductor device including a damascene superconducting interconnect, formed of a Ba-Cu-Ca-O superconducting material. A method of forming a superconducting damascene interconnect structure, and the structure made thereby, the method including forming a cavity in an interlevel dielectric; formi
1. A method of forming a superconducting damascene interconnect structure, comprising:forming a cavity in an interlevel dielectric; forming a barrier layer in the cavity; forming a seed layer in the cavity over the barrier layer; forming a Cu-Ba alloy layer; filling the cavity by depositing a Cu-Ca-
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