최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0660796 (2000-09-13) |
우선권정보 | JP-0259098 (1999-09-13) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 5 |
For the purpose of providing a semiconductor and its manufacturing that can attain local smoothing by removing local defective surface morphology while attaining global surface smoothing, a substrate surface is smoothed by conducting chemical mechanical polishing in a plurality of separate steps usi
1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:covering a wiring layer by an inter-layer insulating film; etching at least one via hole into the inter-layer insulating film; depositing a metal film over the inter-layer insulating film and into the at least one via hole; removing me
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.