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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0275632 (1999-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 9 |
A p-i-n photodiode having a high responsivity and quantum efficiency due to an AlGaN heterojunction where photons are absorbed within the p-n junction thereby eliminating carrier losses due to surface recombination and diffusion processes. Ultraviolet light comes through a transparent substrate, suc
1. A back-illuminated heterojunction photodiode for detecting an incoming light beam, comprising:a substrate, the substrate being substantially transparent to the incoming light beam; a first electrode layer formed above said substrate, said first electrode layer being substantially transparent to t
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