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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0669602 (2000-09-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 139 인용 특허 : 106 |
High quality epitaxial layers of oxide can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxid
1. A waveguide structure comprising:a monocrystalline semiconductor substrate; a monocrystalline oxide layer formed overlying the substrate; a core layer formed atop the oxide layer; and a cladding layer formed adjacent to the core layer.
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