[특허]Method for growing SiC single crystals

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Method for growing SiC single crystals 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-029/36
출원번호	US-0761808 (2001-01-16)
우선권정보	DE-198 31 362 (1998-07-13)
발명자 / 주소	Harald Kuhn DE Rene Stein DE Johannes Volkl DE
출원인 / 주소	Siemens Aktiengesellschaft DE
대리인 / 주소	Laurence A. Greenberg
인용정보	피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 4

초록 ▼

A method is described for growing at least one silicon carbide (SiC) single crystal by sublimation of a SiC source material. Silicon, carbon and a SiC seed crystal are introduced into a growing chamber. Then, the SiC source material is produced from the silicon and the carbon in a synthesis step that takes place before the actual growing. The growing of the SiC single crystal is then carried out immediately after the synthesis step. The carbon used is a C powder with a mean grain diameter of greater than 10 .mu.m.

대표청구항 ▼

1. A method for growing at least one silicon carbide (SiC) single crystal by sublimation of an SiC source material, which comprises the steps of:introducing silicon (Si), carbon (C) and an SiC seed crystal into a growing chamber, the carbon being a C powder with a mean diameter of powder grains of greater than 10 .mu.m; producing the SiC source material from the silicon and the carbon in a synthesis step carried out before a growing step; and carrying out the growing step by growing the SiC single crystal immediately after the synthesis step.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Balakrishna Vijay ; Augustine Godfrey ; Gaida Walter E. ; Thomas R. Noel ; Hopkins Richard H., Advanced physical vapor transport method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide.
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Koyama Masao (Oguni JPX) Matuo Syuitu (Atsugi JPX) Nakayama Chiaki (Ebina JPX) Hoshina Katsumi (Oguni JPX), Constituent members of a semiconductor element-manufacturing apparatus and a reaction furnace for making said constituen.
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Vodakov Jury A. (prospekt Engelsa ; 69/1 ; kv. 35 Leningrad SU) Mokhov Evgeny N. (prospekt Energetikov ; 54 ; korpus 2 ; kv. 59 Leningrad SU), Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition techniqu.
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Takahaski Jun (Sagamihara JPX) Kanaya Masatoshi (Sagamihara JPX), Sublimation growth of single crystal SiC.
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이 특허를 인용한 특허 (8)

Sandgren, Glen; Diwanji, Ashish P.; Hopkins, Andrew R.; Sherwood, Walter J.; Dukes, Douglas M.; Land, Mark S.; Benac, Brian L., High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications.
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Powell,Adrian; Brady,Mark; Tsvetkov,Valeri F., Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers.
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Jenny, Jason Ronald; Malta, David Phillip; Hobgood, Hudson McDonald; Mueller, Stephan; Tsvetkov, Valeri F., Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals.
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Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system.
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Jenny, Jason Ronald; Malta, David Phillip; Hobgood, Hudson McDonald; Mueller, Stephan Georg; Brady, Mark; Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., One hundred millimeter single crystal silicon carbide wafer.
상세보기
Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Producing high quality bulk silicon carbide single crystal by managing thermal stresses at a seed interface.
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Fechko, Jr.,George J.; Jenny,Jason R.; Hobgood,Hudson M.; Tsvetkov,Valeri F.; Carter, Jr.,Calvin H., Reducing nitrogen content in silicon carbide crystals by sublimation growth in a hydrogen-containing ambient.
상세보기
Powell,Adrian; Brixius,William H.; Leonard,Robert Tyler; McClure,Davis Andrew; Laughner,Michael, Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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