최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0761808 (2001-01-16) |
우선권정보 | DE-198 31 362 (1998-07-13) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 4 |
A method is described for growing at least one silicon carbide (SiC) single crystal by sublimation of a SiC source material. Silicon, carbon and a SiC seed crystal are introduced into a growing chamber. Then, the SiC source material is produced from the silicon and the carbon in a synthesis step tha
1. A method for growing at least one silicon carbide (SiC) single crystal by sublimation of an SiC source material, which comprises the steps of:introducing silicon (Si), carbon (C) and an SiC seed crystal into a growing chamber, the carbon being a C powder with a mean diameter of powder grains of g
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.