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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0832868 (2001-04-12) |
우선권정보 | JP-2000-340135 (2000-11-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 6 |
A semiconductor device is mounted on a heating stage, and the temperature of the semiconductor device is set to be at least 60.degree. C. and lower than the melting point of a solder. With the use of an ejecting head, molten solder is ejected from a nozzle towards an electrode part. The molten solde
1. An electrode forming method comprising:heating an underlying conductive region to at least 60.degree. C. for forming a bump electrode on an underlying conductive region; ejecting molten solder having a melting point onto the underlying conductive region, after heating the underlying conductive re
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