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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0083612 (2002-02-27) |
우선권정보 | JP-0086662 (2001-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 7 |
When tantalum pentoxide film that is deposited on silicon wafer is subjected to a heat treatment in an oxygen atmosphere to improve crystallinity, refractive index is measured by an ellipsometer to appraise change in the crystallinity or change in the relative dielectric constant of the dielectric f
When tantalum pentoxide film that is deposited on silicon wafer is subjected to a heat treatment in an oxygen atmosphere to improve crystallinity, refractive index is measured by an ellipsometer to appraise change in the crystallinity or change in the relative dielectric constant of the dielectric f
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