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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | G02B-006/16 H01S-003/067 H01S-003/14 |
미국특허분류(USC) | 385/142; 385/123; 372/006; 359/341.1; 359/342 |
출원번호 | US-0302839 (1999-04-30) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 13 |
An improved highly doped waveguide is provided which comprises a waveguide having a dopant disposed therein, the dopant having a concentration of between 100 and 500,000 ppm, and wherein the concentration of the dopant enhances cross-relaxation between two elements of the dopant.
An improved highly doped waveguide is provided which comprises a waveguide having a dopant disposed therein, the dopant having a concentration of between 100 and 500,000 ppm, and wherein the concentration of the dopant enhances cross-relaxation between two elements of the dopant. claim 14, wherein the at least one optical structure comprises a waveguide. 18. The device of claim 17, further comprising a nitride layer formed on at least a portion of the waveguide. 19. The device of claim 14, wherein the silicon layer is a single-crystal-silicon layer. 20. ...