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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0592797 (2000-06-13) |
우선권정보 | JP-0180619 (1999-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 4 |
There is disclosed a semiconductor device comprising a copper interconnect layer 7 where a copper film is buried in a concave in an insulating film 3 via a barrier metal film, wherein the copper interconnect layer 7 has a line/space ratio of 4.5 or less and an interconnect occupancy of 10 to 60%. It
1. A process for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of depositing an insulating film on a semiconductor substrate surface including a device-forming area and then forming a concave in the insulating film within the device-forming area; depositing a barrier metal film in the co
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