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특허 상세정보

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Semiconductor image pickup device

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-027/00   
미국특허분류(USC) 250/208.1; 250/214.R
출원번호 US-0731802 (2000-12-08)
우선권정보 JP-0221309 (2000-07-21)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Leydig, Voit & Mayer, Ltd.
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 7
초록

A semiconductor image pickup device includes a pixel array having pixels arranged in a matrix. Each pixel includes a photodiode that converts an optical signal into an electrical signal, and a transistor connected to a charge accumulation section of the photodiode. A buffer is additionally provided. This buffer controls the transistor of the pixels using a lower control power supply voltage than a power supply voltage of the pixel array.

대표
청구항
▼

1. A semiconductor image pickup device comprising: a pixel array having a plurality of pixels arranged in a matrix, each pixel having a light detecting element for converting an optical signal into an electrical signal and a switching gate connected to a charge accumulation section of said light detecting element; and a switching gate control unit which controls said switching gate using a control power supply voltage lower than a power supply voltage of said pixel array, wherein said control power supply voltage is not lower than a voltage obtained ...

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Chen Liang-Gee,TWX ; Ma Shyh-Yih,TWX. CMOS active pixel sensor. USP2001046215113.
  2. Ikegami Yoshiki (Inagi JPX) Hayakawa Yoshio (Kawaguchi JPX) Sato Yasuaki (Sagamihara JPX). Card image data processing system. USP1989054835735.
  3. Tsunekawa Tokuichi (Yokohama JPX). Image sensor. USP1984114484223.
  4. Hack Michael (Mountain View CA) Thompson Malcolm J. (Menlo Park CA) Tuan Hsing C. (Menlo Park CA). Method of using offset gated gap-cell thin film device as a photosensor. USP1992015083175.
  5. Miyawaki Mamoru (Isehara JPX) Ueno Isamu (Hadano JPX). Photo-electric conversion apparatus with gain controllable amplifiers. USP1996075539196.
  6. Masayuki Uno JP. Photo-sensor. USP2002026350981.
  7. Kyomasu Mikio (Hamamatsu JPX) Tanaka Hitoshi (Hamamatsu JPX) Mizuno Seiichiro (Hamamatsu JPX). Solid state image sensor having variable charge accumulation time period. USP1989064839735.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 8

  1. Barber,Charles P.; Gerst, III,Carl W.; Smith, II,George S.; Hussey,Robert M.; Gardiner,Robert C.; Pankow,Matthew W.. Bar code reading device having plurality of operating states. USP2009027492493.
  2. Kindem,Joel; Carlson,Lars S.. Charge pump power supply with noise control. USP2006037019783.
  3. Barber, Charles P.; Gerst, III, Carl W.; Smith, II, George S.; Hussey, Robert M.; Gardiner, Robert C.; Pankow, Matthew W.. Imaging apparatus having plurality of operating states. USP2010107817878.
  4. Barber, Charles P.; Gerst, III, Carl W.; Smith, II, George S.; Hussey, Robert M.; Gardiner, Robert C.; Pankow, Matthew W.. Reading apparatus having partial frame operating mode. USP2012048146817.
  5. Barber, Charles P.; Gerst, III, Carl W.; Smith, II, George S.; Hussey, Robert M.; Gardiner, Robert C.; Pankow, Matthew W.. Reading apparatus having partial frame operating mode. USP2013058439264.
  6. Barber, Charles P.; Gerst, III, Carl W.; Smith, II, George S.; Hussey, Robert M.; Gardiner, Robert C.; Pankow, Matthew W.. Reading apparatus having partial frame operating mode. USP2014048702000.
  7. Meynants, Guy. Semiconductor pixel arrays with reduced sensitivity to defects. USP2009107608516.
  8. Meynants,Guy. Semiconductor pixel arrays with reduced sensitivity to defects. USP2008087408195.

IPC 상위 출원인