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Method of cleaning a substrate surface using a frozen material

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/302
  • H01L-021/461
출원번호 US-0863507 (2001-05-22)
발명자 / 주소
  • Moore, Scott E.
  • Doan, Trung Tri
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Wells St. John P.S.
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 7

초록

In one aspect, the invention includes a method of treating a surface of a substrate. A mixture which comprises at least a frozen first material and liquid second material is provided on the surface and moved relative to the substrate. In another aspect, the invention encompasses a method of treating

대표청구항

In one aspect, the invention includes a method of treating a surface of a substrate. A mixture which comprises at least a frozen first material and liquid second material is provided on the surface and moved relative to the substrate. In another aspect, the invention encompasses a method of treating

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Rose Peter H. ; Sferlazzo Piero ; van der Heide Robert G., Aerosol surface processing.
  2. Furusawa Masami,JPX ; Harano Riichiro,JPX, Apparatus and method for cleaning substrate.
  3. Lofaro Michael F., Apparatus for and method of conditioning chemical mechanical polishing pad during workpiece polishing cycle.
  4. Guckel Henry (Madison WI) Sniegowski Jeffry (Madison WI), Formation of microstructures with removal of liquid by freezing and sublimation.
  5. Jon Min-Chung (Princeton Junction NJ) Nicholl Hugh (Berthoud CO) Read Peter Hartpence (Morrisville PA), Method and apparatus for CO2 cleaning with mitigated ESD.
  6. Mullee William H. ; de Leeuwe Marc ; Roberson ; Jr. Glenn A., Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process.
  7. McCullough Kenneth John ; Purtell Robert Joseph ; Rothman Laura Beth ; Wu Jin-Jwang, Removal of fluorine or chlorine residue by liquid CO.sub.2.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Miya, Katsuhiko; Kitagawa, Hiroaki, Apparatus for and method of processing substrate.
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