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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0389679 (1999-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 7 |
A method and apparatus for forming a planar layer on a surface of a microelectronic substrate. The method comprises controlling a temperature of a liquid support material to be at least an annealing temperature of material comprising the planar layer. In one embodiment, the planar layer material has
A method and apparatus for forming a planar layer on a surface of a microelectronic substrate. The method comprises controlling a temperature of a liquid support material to be at least an annealing temperature of material comprising the planar layer. In one embodiment, the planar layer material has
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