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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0618433 (2000-07-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 7 |
A method is provided for detaching a single-crystal film from an epilayer/substrate or bulk crystal structure. The method includes the steps of implanting ions into the crystal structure to form a damage layer within the crystal structure at an implantation depth below a top surface of the crystal s
1. A method for detaching a pyro-electric metal oxide single-crystal film from a pyro-electric metal oxide crystal structure, said method comprising the steps of: implanting non-reactive ions into said crystal structure to form a damage layer within said crystal structure at an implantation depth
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