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Slicing of single-crystal films using ion implantation

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-031/22
출원번호 US-0618433 (2000-07-18)
발명자 / 주소
  • Levy, Miguel
  • Osgood, Jr., Richard M.
  • Radojevic, Antonije M.
출원인 / 주소
  • Trustees of Columbia University in the City of New York
대리인 / 주소
    Baker Botts, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 7

초록

A method is provided for detaching a single-crystal film from an epilayer/substrate or bulk crystal structure. The method includes the steps of implanting ions into the crystal structure to form a damage layer within the crystal structure at an implantation depth below a top surface of the crystal s

대표청구항

1. A method for detaching a pyro-electric metal oxide single-crystal film from a pyro-electric metal oxide crystal structure, said method comprising the steps of: implanting non-reactive ions into said crystal structure to form a damage layer within said crystal structure at an implantation depth

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Levy Miguel ; Osgood ; Jr. Richard M., Crystal ion-slicing of single-crystal films.
  2. Goesele Ulrich M. ; Tong Q.-Y., Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate.
  3. Li Jianming (Beijing CNX), Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation.
  4. Cook Melvin S. (43 Westerly Rd. Saddle River NJ 07458), Method of peeling thin films using directional heat flow.
  5. Abernathey John R. (Jericho VT) Lasky Jerome B. (Essex Junction VT) Nesbit Larry A. (Williston VT) Sedgwick Thomas O. (Briarcliff Manor NY) Stiffler Scott R. (Cortland NY), Method of producing a thin silicon-on-insulator layer.
  6. Cook Melvin S. (43 Westerly Rd. Saddle River NJ 07458), Method of producing single-crystal semiconductor films by laser treatment.
  7. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.

이 특허를 인용한 특허 (11)

  1. Faure,Bruce, Method for fabricating a carrier substrate.
  2. Radojevic, Antonije M.; Osgood, Jr., Richard M.; Levy, Miguel, Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same.
  3. Kub, Francis J.; Hobart, Karl D., Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting.
  4. Endo,Akihiko; Kusaba,Tatsumi, Method for manufacturing bonded substrate and bonded substrate manufactured by the method.
  5. Faure, Bruce; Letertre, Fabrice, Method of fabricating an epitaxially grown layer.
  6. Akatsu,Takeshi; Aulnette,Cecile; Ghyselen,Bruno, Method of fabrication of a substrate for an epitaxial growth.
  7. Izuhara,Tomoyuki; Osgood, Jr.,Richard M., Methods for fabrication of localized membranes on single crystal substrate surfaces.
  8. Schwarzenbach, Walter; Ben Mohamed, Nadia; Maleville, Christophe; Maunand Tussot, Corinne, Methods for minimizing defects when transferring a semiconductor useful layer.
  9. Schwarzenbach, Walter; Maleville, Christophe, Process for detaching layers of material.
  10. Schwarzenbach,Walter; Maleville,Christophe, Process for detaching layers of material.
  11. Moriceau, Hubert; Couchaud, Maurice; Deschanvres, Jean-Luc; Joudrier, Anne-Laure, Process for transferring films.
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