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특허 상세정보

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Method and apparatus for preparing polysilicon granules

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/44    H01L-021/302   
미국특허분류(USC) 438/687; 438/484; 438/723
출원번호 US-0933718 (2001-08-22)
우선권정보 KR-0000237 (2001-01-03)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Lowe Hauptman Gilman & Berner, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 20  인용 특허 : 5
초록

The present invention relates to a method and an apparatus for preparing polysilicon, more specifically to a method and an apparatus for preparing polysilicon in granule form by equipping a fluidized bed reactor with a nozzle that provides an etching gas including hydrogen chloride in order to effectively prevent silicon from depositing on the outlet surfaces of the reaction gas supplying means and to be able to operate the reactor continuously in the bulk production of polysilicon granules.

대표
청구항

The present invention relates to a method and an apparatus for preparing polysilicon, more specifically to a method and an apparatus for preparing polysilicon in granule form by equipping a fluidized bed reactor with a nozzle that provides an etching gas including hydrogen chloride in order to effectively prevent silicon from depositing on the outlet surfaces of the reaction gas supplying means and to be able to operate the reactor continuously in the bulk production of polysilicon granules.

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Yoon Poong (Seoul KRX) Song Yongmok (Chungnam KRX). Fluidized bed reactor with microwave heating system for preparing high-purity polycrystalline silicon. USP1988114786477.
  2. Snyder Thomas S. (Oakmont PA) Stoltz Richard A. (Murrysville PA) Wagner George R. (Murrysville PA). Integrated production of superconductor insulation for chemical vapor deposition of nickel carbonyl. USP1991065021401.
  3. Yatsurugi Yoshifumi (Fujisawa JPX) Yusa Atsushi (Ninomiya JPX) Takahashi Nagao (Hiratsuka JPX). Method and apparatus for manufacturing high-purity silicon rods. USP1979044150168.
  4. Lord Stephen M. ; Milligan Robert J.. Method for silicon deposition. USP1998085798137.
  5. Lord Stephen M. ; Milligan Robert J.. Silicon deposition reactor apparatus. USP1998095810934.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 20

  1. Sansegundo-Sanchez, Javier; Benavides-Rel, Xavier; Vales-Canle, Manuel; Tomas-Martinez, Maria. Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods. USP2014118875728.
  2. Osborne, E. Wayne; Spangler, Michael V.; Allen, Levi C.; Geertsen, Robert J.; Ege, Paul E.; Stupin, Walter J.; Zeininger, Gerald. Fluid bed reactor. USP2015059023425.
  3. Osborne, E. Wayne; Spangler, Michael V.; Allen, Levi C.; Geertsen, Robert J.; Ege, Paul E.; Stupin, Walter J.; Zeininger, Gerald. Fluid bed reactor. USP2011128075692.
  4. Sanchez, Javier San Segundo; Barona, Jose Luis Montesinos; Conejero, Evaristo Ayuso; Canle, Manuel Vicente Vales; Rel, Xavier Benavides; Garcia, Pedro-Tomas Lujan; Martinez, Maria Tomas. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon. USP2012058168123.
  5. Sanchez, Javier San Segundo; Barona, Jose Luis Montesinos; Conejero, Evaristo Ayuso; Canle, Manuel Vicente Vales; Rel, Xavier Benavides; Garcia, Pedro-Tomas Lujan; Martinez, Maria Tomas. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon. USP2012048158093.
  6. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Fluidized bed reactor systems. USP2014128906313.
  7. Erk, Henry F.. Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same. USP2014098828324.
  8. Kim, Hee Young; Yoon, Kyung Koo; Park, Yong Ki; Choi, Won Choon. Method and apparatus for preparation of granular polysilicon. USP2014068747757.
  9. Kim, Hee Young; Yoon, Kyung Koo; Park, Yong Ki; Choi, Won Choon. Method and apparatus for preparation of granular polysilicon. USP2017099764960.
  10. Kim, Hee Young; Yoon, Kyung Koo; Park, Yong Ki; Choi, Won Choon. Method and apparatus for preparation of granular polysilicon. USP2014098821827.
  11. Kim, Hee Young; Yoon, Kyung Koo; Park, Yong Ki; Choi, Won Choon. Method for continual preparation of polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor. USP2011098017024.
  12. Kim, Hee Young; Yoon, Kyung Koo; Park, Yong Ki; Choi, Won Choon. Method for continual preparation of polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor. USP2013048431032.
  13. Kim, Hee Young; Yoon, Kyung Koo; Park, Yong Ki; Choi, Won Choon. Method for preparing granular polycrystalline silicon using fluidized bed reactor. USP2010087771687.
  14. Froehlich, Robert; Mixon, David. Methods and system for cooling a reaction effluent gas. USP2012088235305.
  15. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Methods for introducing a first gas and a second gas into a reaction chamber. USP2014058728574.
  16. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Methods for producing polycrystalline silicon that reduce the deposition of silicon on reactor walls. USP2013038404206.
  17. Nakanishi, Tetsuo; Watanabe, Koichiro; Fukuoka, Hirofumi. Non-aqueous electrolyte secondary battery, negative electrode material, and making method. USP2012018105718.
  18. Chu, Xi. Reactor and method for producing high-purity granular silicon. USP2013098535614.
  19. Froehlich, Robert; Fieselmann, Ben; Mixon, David; Tsuo, York. Reactor with silicide-coated metal surfaces. USP2013048425855.
  20. Bucci, John V.; Cocco, Raymond Anthony; Dehtiar, Max E.; Harder, Patrick J.; Karri, S. B. Reddy; Knowlton, Ted M.; Molnar, Michael J.. Tapered fluidized bed reactor and process for its use. USP20181010105669.

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