최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0313172 (1999-05-18) |
우선권정보 | JP-0141481 (1998-05-22) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 23 |
An adhesion layer made from Al film or Ti film is formed on Cu electrode pad portions as external connection terminals of a Cu interconnection layer of an LSI formed on the surface layer of a semiconductor substrate. A BLM film having a stacked structure of Cr/Cu/Au or Ti/Cu/Au is formed on the adhe
1. A semiconductor device comprising: A semiconductor substrate in contact with a multilayer interconnection layer, said multilayer interconnection layer comprising an electrode pad portion as an external connection terminal of the multilayer interconnection layer, said multilayer interconnection
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.