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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0067342 (2002-02-07) |
우선권정보 | KR-0006812 (2001-02-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 7 |
A semiconductor device includes a lower copper line formed on a substrate, an interlayer insulating layer formed on the lower copper line, and an upper copper line formed on the interlayer insulating layer. A copper via contact extends through the interlayer insulating layer for electrically connect
1. A semiconductor device comprising: a lower copper line formed on a substrate; an interlayer insulating layer formed on the lower copper line; an upper copper line formed on the interlayer insulating layer; a copper via contact formed within the interlayer insulating layer for electrically c
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