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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0944984 (2001-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 65 |
A typical integrated circuit interconnects millions of microscopic transistors and resistors with aluminum wires buried in silicon-dioxide insulation. Yet, aluminum wires and silicon-dioxide insulation are a less attractive combination than gold, silver, or copper wires combined with polymer-based i
1. An integrated-circuit assembly comprising: one or more transistor contact regions; an oxidation-resistant polymeric layer having one or more openings, with each opening exposing at least a portion of one of the transistor contact regions and having a respective width; and a mask layer overly
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