최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0837816 (2001-04-17) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 117 인용 특허 : 5 |
A four current transistor temperature sensor comprises a p-n junction, preferably the base-emitter junction of a bipolar transistor, which is driven with four different currents in a predetermined sequence. Each of the four currents induces a respective base-emitter voltage, which is measured. The t
1. A transistor temperature sensing system, comprising: a p-n junction, said p-n junction comprising the base-emitter junction of a bipolar transistor, at least one current source arranged to provide four different currents to said junction in a predetermined sequence, said junction and said at
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.