최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0926049 (2001-08-21) |
우선권정보 | JP-0368400 (1999-12-24) |
국제출원번호 | PCT/JP00/08945 (2000-12-18) |
국제공개번호 | WO01/48825 (2001-07-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 6 |
A method for manufacturing a bonded wafer, in which when a bonded wafer is manufactured using an ion implantation separation method, impurities attached in the ion implantation step can be removed effectively, and less failure called a void is generated on the bonding surface. Impurities such as par
1. A method for manufacturing a bonded wafer comprising: implanting at least one of hydrogen ions and rare gas ions from a surface of a first wafer to form a micro bubble layer in the first wafer; physically removing impurities attached onto the surface of the first wafer to which the ions are i
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.