최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0197125 (2002-07-17) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 11 |
High aspect ratio (5:1-30:1) and small (5 μm-125 μm) diameter holes in a dielectric substrate are provided, which are filled with a solidified conductive material, as well as a method of filling such holes using pressure and vacuum. In certain embodiments, the holes are lined with conductive materia
1. A method of forming a capped conductive through hole in a dielectric substrate comprising the steps of: providing a dielectric substrate having opposed faces therein, said at least one through hole having two ends extending; forming at least one through hole from one face to the other face ha
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.