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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0692660 (2000-10-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 52 인용 특허 : 47 |
A process for forming a extremely low dielectric constant film over a substrate. The process includes coating a substrate with a solution comprising a soluble source of silicon oxide, water, a solvent, a surfactant and a catalyst using an ultrasonic spray nozzle. The coated substrate is then subsequ
1. A process for forming an extremely low dielectric constant film over a substrate, said process comprising: coating said substrate with a solution comprising a soluble source of silicon oxide, water, a solvent, a surfactant and a catalyst using an ultrasonic spray nozzle, wherein said solution
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