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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0920442 (2001-08-01) |
우선권정보 | EP-0830559 (2000-08-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 7 |
The invention relates to a circuit generating a voltage signal which is independent of temperature and has low sensitivity to variations in process parameters, comprising at least an output MOS transistor through which an output current flows, it being connected to a first voltage reference and havi
1. A circuit comprising: an output MOS transistor to produce an output current and being connected to a first voltage reference, the output MOS transistor having a gate terminal and a threshold voltage; a bias network connected to the gate terminal of the output MOS transistor and connected betw
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