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Heterojunction bipolar transistor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/737
  • H01L-029/161
출원번호 US-0599741 (2000-06-23)
우선권정보 JP-11-177032B (1999-06-23)
발명자 / 주소
  • Washio, Katsuyoshi
  • Hayami, Reiko
  • Shimamoto, Hiromi
  • Kondo, Masao
  • Oda, Katsuya
  • Oue, Eiji
  • Tanabe, Masamichi
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd., Hitachi DeviceEngineering Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Antonelli, Terry, Stout & Kraus, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 6

초록

A bipolar transistor is provided which is of high reliability and high gain, and which is particularly suitable to high speed operation. The bipolar transistor operates with high accuracy and with no substantial change of collector current even upon change of collector voltage. It also has less vari

대표청구항

A bipolar transistor is provided which is of high reliability and high gain, and which is particularly suitable to high speed operation. The bipolar transistor operates with high accuracy and with no substantial change of collector current even upon change of collector voltage. It also has less vari

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Shoji Kenichi (Kokubunji JPX) Fukami Akira (Kodaira JPX) Nagano Takahiro (Hitachi JPX), Bipolar transistor with a particular silicon germanium alloy structure.
  2. Crabbe Emmanuel F. (Chappaqua NY) Harame David L. (Mohegan Lake NY) Meyerson Bernard S. (Yorktown Heights NY) Patton Gary (Poughkeepsie NY) Stork Johannes M. C. (Yorktown Heights NY), Graded bandgap single-crystal emitter heterojunction bipolar transistor.
  3. Yamazaki Toru (Tokyo JPX), Heterojunction bipolar transistor.
  4. Yamazaki Toru (Tokyo JPX), Heterojunction bipolar transistor having particular Ge distributions and gradients.
  5. Tang Zhirong ; Ford Jenny M. ; Steele John W., Heterojunction semiconductor device and method of manufacture.
  6. Sato Fumihiko (Tokyo JPX) Tashiro Tsutomu (Tokyo JPX), High electron mobility transistor.

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Enicks, Darwin Gene; Carver, Damian, Bandgap and recombination engineered emitter layers for SiGe HBT performance optimization.
  2. Dunn, James S.; Liu, Qizhi; Nakos, James S., Base profile of self-aligned bipolar transistors for power amplifier applications.
  3. Dunn, James S.; Liu, Qizhi; Nakos, James S., Base profile of self-aligned bipolar transistors for power amplifier applications.
  4. Sherazi, Iman; Kovacic, Stephen J., Direct attach optical receiver module and method of testing.
  5. Ning,Tak Hung, Graded-base-bandgap bipolar transistor having a constant--bandgap in the base.
  6. Yoshioka, Akira; Nozu, Tetsuro, Heterojunction bipolar transistor and its manufacturing method.
  7. Miura, Makoto; Washio, Katsuyoshi; Shimamoto, Hiromi, Semiconductor device and manufacturing method of the same.
  8. Huang, Chao Hsing; Chin, Yu Chung, Transient suppression semiconductor device.
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