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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0968212 (2001-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 96 인용 특허 : 25 |
A method to improve nucleation and/or adhesion of a CVD or ALD-deposited film/layer onto a low-dielectric constant (low-k) dielectric layer, such as a polymeric dielectric or a carbon-doped oxide. In an embodiment, the method includes providing a substrate into a deposition chamber. A dielectric lay
A method to improve nucleation and/or adhesion of a CVD or ALD-deposited film/layer onto a low-dielectric constant (low-k) dielectric layer, such as a polymeric dielectric or a carbon-doped oxide. In an embodiment, the method includes providing a substrate into a deposition chamber. A dielectric lay
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