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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0233771 (2002-09-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 6 |
A new structure is provided for the creation of an inductor on the surface of a silicon semiconductor substrate. The inductor is of spiral design and perpendicular to the plane of the underlying substrate. Conductor line width can be selected as narrow or wide, ferromagnetic material can be used to
A new structure is provided for the creation of an inductor on the surface of a silicon semiconductor substrate. The inductor is of spiral design and perpendicular to the plane of the underlying substrate. Conductor line width can be selected as narrow or wide, ferromagnetic material can be used to
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