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Two layer liner for dual damascene via

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/4763
출원번호 US-0811638 (2001-03-19)
우선권정보 EP-0201006 (2000-03-20)
발명자 / 주소
  • Meijer, Petrus Maria
  • Mutsaers, Cornelis Adrianus Henricus Antonius
출원인 / 주소
  • Koninklijke Philips Electronics N.V.
대리인 / 주소
    Waxler, Aaron
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 4

초록

The invention relates to a semiconductor device having a substrate (1) for instance silicon, with a layer (2, 4) of at least organic material which contains a passage (6, 8) to the substrate (1). The passage (6,8) has walls (7, 9) transverse to the layer (2, 4). A metal layer (11) is applied on the

대표청구항

1. A semiconductor device comprising a substrate (1) with a layer (2, 4) thereon comprising at least organic material, in which layer (2, 4) a passage (6, 8) is present to the substrate (1) having walls (7, 9) transverse to said layer (2, 4), while a metal layer (11) is present on at least that port

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Yew Tri-Rung,TWX ; Lur Water,TWX ; Sun Shih-Wei,TWX ; Huang Yimin,TWX, Fabricating method of a barrier layer.
  2. Nguyen Tue ; Hsu Sheng Teng, Low resistance contact between integrated circuit metal levels and method for same.
  3. Lou Chine-Gie,TWX, Method of fabricating dual damascene structure.
  4. Naik Mehul ; Broydo Samuel, Method of producing an interconnect structure for an integrated circuit.

이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Hopper, Peter J.; Johnson, Peter; Hwang, Kyuwoon; Mian, Michael; Drury, Robert, Conductive trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect.
  2. Hopper,Peter J.; Johnson,Peter; Hwang,Kyuwoon; Mian,Michael; Drury,Robert, Method of forming a dual damascene metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect.
  3. Hopper,Peter J.; Johnson,Peter; Hwang,Kyuwoon; Mian,Michael; Drury,Robert, Method of forming a metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect.
  4. Hopper,Peter J.; Johnson,Peter; Hwang,Kyuwoon; Mian,Michael; Drury,Robert, Method of forming an etched metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect.
  5. Meijer, Petrus Maria; Mutsaers, Cornelis Adrianus Henricus Antonius, Method of manufacturing a two layer liner for dual damascene vias.
  6. Uchida,Yoko, Semiconductor device and method for manufacturing the same.
  7. Takayama, Toru; Yamazaki, Shunpei; Akimoto, Kengo, Silicon nitride film, and semiconductor device.
  8. Takayama, Toru; Yamazaki, Shunpei; Akimoto, Kengo, Silicon nitride film, and semiconductor device.
  9. Oh, Soo-Young, System and method for limiting increase in capacitance due to dummy metal fills utilized for improving planar profile uniformity.
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