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특허 상세정보

Long range ordered semiconductor interface phase and oxides

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/311    H01L-021/31   
미국특허분류(USC) 438/694; 438/697; 438/770; 438/958; 257/629
출원번호 US-0555251 (2000-10-19)
국제출원번호 PCT/US98/25355 (1998-11-25)
국제공개번호 WO99/28953 (1999-06-10)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Gallagher & Kennedy, P.A.
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 1
초록

A semiconductor processing method capable of producing highly ordered, ultra thin dielectrics, including gate oxide and other semiconductor dielectrics, and interphase phases with low defect density. The process includes a degrease step, an etch, primary oxidation and then a passivation step which utilizes hydrofluoric acid to passivate the cleaned silicon surface with hydrogen. Dielectric layers may then be formed with low interface defect density, low flat band voltages and low fixed charge on semiconductor substrates.

대표
청구항

A semiconductor processing method capable of producing highly ordered, ultra thin dielectrics, including gate oxide and other semiconductor dielectrics, and interphase phases with low defect density. The process includes a degrease step, an etch, primary oxidation and then a passivation step which utilizes hydrofluoric acid to passivate the cleaned silicon surface with hydrogen. Dielectric layers may then be formed with low interface defect density, low flat band voltages and low fixed charge on semiconductor substrates. eric film laminated to at least o...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 12

  1. Barabash, Sergey; Lee, Mankoo; Pramanik, Dipankar. Electrode for low-leakage devices. USP2016019245941.
  2. Chen, Tai Chiang; Wang, Xin. Method for fabricating semiconductor device capable of adjusting the thickness of gate oxide layer. USP2010077759238.
  3. Kuse,Ronald John; Yasuda,Tetsuji. Method for forming a dielectric layer and related devices. USP2006097101811.
  4. Kuse,Ronald John; Yasuda,Tetsuji. Method for forming a dielectric layer and related devices. USP2009037511321.
  5. Niwa, Masaaki. Method for forming a semiconductor device. USP2005106955973.
  6. Howland, Jr.,William H.. Method of measuring semiconductor wafers with an oxide enhanced probe. USP2007107282941.
  7. Herbots, Nicole; Bradley, James; Shaw, Justin Maurice; Culbertson, Robert J.; Atluri, Vasudeva. Methods for preparing semiconductor substrates and interfacial oxides thereon. USP2010127851365.
  8. Herbots, Nicole; Whaley, Shawn; Culbertson, Robert; Bennett-Kennett, Ross; Murphy, Ashlee; Bade, Matthew; Farmer, Sam; Hudzietz, Brance. Methods for wafer bonding and for nucleating bonding nanophases using wet and steam pressurization. USP2017039589801.
  9. Herbots, Nichole; Bennett-Kennett, Ross; Murphy, Ashlee; Hughes, Brett; Acharya, Ajjya; Watson, Clarizza; Culbertson, Robert. Methods for wafer bonding, and for nucleating bonding nanophases. USP2016089418963.
  10. Herbots, Nicole; Culbertson, Robert J.; Bradley, James; Hart, Murdock Allen; Sell, David Alexander; Whaley, Shawn David. Methods for wafer bonding, and for nucleating bonding nanophases. USP2015049018077.
  11. Tao, Meng; Ali, Muhammad Y.. Modification of semiconductor surfaces in a liquid. USP2009057534729.
  12. Okajima, Takehiko. Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method. USP2005056890776.