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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-021/311 H01L-021/31 |
미국특허분류(USC) | 438/694; 438/697; 438/770; 438/958; 257/629 |
출원번호 | US-0555251 (2000-10-19) |
국제출원번호 | PCT/US98/25355 (1998-11-25) |
국제공개번호 | WO99/28953 (1999-06-10) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 1 |
A semiconductor processing method capable of producing highly ordered, ultra thin dielectrics, including gate oxide and other semiconductor dielectrics, and interphase phases with low defect density. The process includes a degrease step, an etch, primary oxidation and then a passivation step which utilizes hydrofluoric acid to passivate the cleaned silicon surface with hydrogen. Dielectric layers may then be formed with low interface defect density, low flat band voltages and low fixed charge on semiconductor substrates.
A semiconductor processing method capable of producing highly ordered, ultra thin dielectrics, including gate oxide and other semiconductor dielectrics, and interphase phases with low defect density. The process includes a degrease step, an etch, primary oxidation and then a passivation step which utilizes hydrofluoric acid to passivate the cleaned silicon surface with hydrogen. Dielectric layers may then be formed with low interface defect density, low flat band voltages and low fixed charge on semiconductor substrates. eric film laminated to at least o...